JB/T 6333-2008 吊链连续抛丸落砂清理室 基本参数
作者:标准资料网 时间:2024-05-19 13:21:18 浏览:9944
来源:标准资料网
基本信息
标准名称: | 吊链连续抛丸落砂清理室 基本参数 |
英文名称: | Overhead hanger type shot blasting reclaiming blast chamber—Basic parameters |
中标分类: |
机械 >>
通用加工机械与设备 >>
铸造设备 |
ICS分类: |
机械制造 >>
无屑加工设备 >>
模制设备和铸造设备
|
替代情况: | 替代JB/T 6333-1992 |
发布部门: | 中华人民共和国国家发展和改革委员会 |
发布日期: | 2008-06-04 |
实施日期: | 2008-11-01 |
首发日期: | |
作废日期: | |
提出单位: | 中国机械工业联合会 |
归口单位: | 全国铸造机械标委会 |
起草单位: | 青岛铸造机械集团公司;青岛开世密封工业有限公司;济南铸造锻压机械研究所 |
起草人: | 邢海伟、吴寿喜、卢军、张伟 |
出版社: | 机械工业出版社 |
出版日期: | 2008-11-01 |
页数: | 4页 |
批文号: | 24674-2008 |
适用范围
本标准规定了吊链连续抛丸落砂清理室的基本参数。
本标准适用于吊链连续抛丸落砂清理室。
前言
没有内容
目录
没有内容
引用标准
没有内容
所属分类: 机械 通用加工机械与设备 铸造设备 机械制造 无屑加工设备 模制设备和铸造设备
基本信息
标准名称: | 太阳能电池用硅单晶切割片 |
英文名称: | Mono-crystalline silicon as cut slices for photovoltaic solar cells |
中标分类: |
冶金 >>
半金属与半导体材料 >>
半金属与半导体材料综合 |
ICS分类: |
电气工程 >>
半导体材料
|
发布部门: | 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会 |
发布日期: | 2011-01-10 |
实施日期: | 2011-10-01 |
首发日期: | 2011-01-10 |
作废日期: | |
主管部门: | 全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2) |
归口单位: | 全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2) |
起草单位: | 万向硅峰电子股份有限公司、上海九晶电子材料股份有限公司、西安隆基硅材料股份有限公司、洛阳鸿泰半导体有限公司、无锡尚德太阳能电力有限公司、江西赛维LDK 太阳能有限公司、杭州海纳半导体有限公司 |
起草人: | 楼春兰、郑辉、蒋建国、张群社、孙世龙、黄笑容、王飞尧、段育红、朱兴萍、方强、汪贵发、余俊军、袁文强、金虹 |
出版社: | 中国标准出版社 |
出版日期: | 2011-10-01 |
页数: | 12页 |
适用范围
本标准规定了太阳能电池用硅单晶切割片的技术要求、试验方法、检验规则和标志、包装、运输、贮存及质量证明书与订货单内容。
本标准适用于直拉法(CZ/MCZ)制备的地面太阳能电池用硅单晶切割片。
前言
没有内容
目录
没有内容
引用标准
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T1550 非本征半导体材料导电类型测试方法
GB/T1552 硅、锗单晶电阻率测定 直排四探针法
GB/T1555 半导体单晶晶向测定方法
GB/T2828.1 计数抽样检验程序 第1部分:按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划
GB/T6616 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测定 非接触涡流法
GB/T6618 硅片厚度和总厚度变化测试方法
GB/T6620 硅片翘曲度非接触式测试方法
GB/T11073 硅片径向电阻率变化的测量方法
GB/T14140 硅片直径测量方法
GB/T14264 半导体材料术语
GB/T25076 太阳电池用硅单晶
GB/T26068 硅片载流子复合寿命的无接触微波反射光电导衰减测试方法
所属分类: 冶金 半金属与半导体材料 半金属与半导体材料综合 电气工程 半导体材料